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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
60
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
10.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
60
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
11.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2789
2359
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
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