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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
51
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
15.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2182
3579
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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