RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
3579
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link