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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
41
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
3516
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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