RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
59
Por volta de -31% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
45
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2556
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link