RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
59
Около -31% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
45
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2556
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link