RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
12.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2005
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB Сравнения RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link