RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3309
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link