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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
17.5
写入速度,GB/s
7.5
13.8
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3309
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
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