Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Pontuação geral
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ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB

ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 30
    Por volta de 7% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.9 left arrow 12.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.0 left arrow 7.2
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.9 left arrow 12.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.0 left arrow 7.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2112 left arrow 2005
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