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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2005
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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