RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2005
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link