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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
80
Por volta de 49% menor latência
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
80
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
1775
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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