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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
86
Por volta de 52% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
86
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
1658
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-008.D01G 8GB
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Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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