RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
86
En 52% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
86
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
1658
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link