RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
62
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
62
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1314
2710
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link