RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
24
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1314
3257
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link