RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
3257
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link