RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
2426
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link