RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
3045
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link