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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
50
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
50
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
2326
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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