RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
50
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
50
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2326
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link