RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
43
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
3575
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link