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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
12.3
17.5
写入速度,GB/s
8.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3575
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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