RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
43
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
2812
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link