RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
3562
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link