RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Comparar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
37
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.2
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2065
2533
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link