RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
59
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
37
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
7.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2082
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link