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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
8.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.2
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1223
1989
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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