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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.2
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1223
1989
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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