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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
47
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.5
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
47
44
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1549
1927
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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