RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
47
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
47
44
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1549
1927
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link