RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparar
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
15.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2152
3693
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link