RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.3
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
3693
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link