RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Comparar
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
42
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2152
3756
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link