RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
42
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
26
Velocità di lettura, GB/s
13.7
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
3756
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5402-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link