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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Comparar
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
36
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2650
2981
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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