RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1822
2581
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link