RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
11.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1484
2481
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link