RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2481
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link