RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
41
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1484
2288
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link