RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2288
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link