RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
38
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2148
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link