RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
38
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2148
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link