RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
44
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
38
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
2148
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link