Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 54

Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.3 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 28
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 18.3
Скорость записи, Гб/сек

8.1 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 3247

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Super Talent F24SB8GH 8GB

Super Talent F24SB8GH 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB

Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM