RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
39
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
18
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3814
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link