RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
39
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
18
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
20.4
Скорость записи, Гб/сек
9.2
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
3814
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link