RAM-Vergleich Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Gesamtnote

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

18 39

Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.4 14.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

17.2 9.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2322 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns