RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
41
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1484
2922
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology ADOVF1B163BEG 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link