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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
70
Por volta de 40% menor latência
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
70
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2535
1971
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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